DATE
2026/04/27
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廣閎科技推出碳化矽蕭特基二極體(SiC SBD)：以高功率、低漏電助力高效電源設計
新竹 – 2026年4月27日 — 廣閎科技推出碳化矽蕭特基二極體(Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes, SiC SBD)系列，首波發表 8 款650V規格元件，電流涵蓋 4A 至 10A，已量產TO252-2L 及TO220-2L 兩款封裝，為工業級電源與高功率電源應用提供更穩定、高效的解決方案。
相較於傳統矽基元件(Silicon-based)，碳化矽(SiC)元件依據寬能隙材料優勢，具備極低導通電組，與出色的高溫、高壓、高頻運作性能。此系列產品，具優異的反向漏電流(IR)規格，在125℃，600V時的反向漏電低於100nA，與同規格的矽基快速恢復二極體(Si-FRD)相比，漏電僅為其百分之1。低漏電特性，可減少熱消耗與傳導損耗，強化系統穩定性與可靠度，滿足高階工業電源、儲能、數據中心伺服器應用需求。此系列主要特性:
- 極大化功率密度 : 寬能隙(Wide Bandgap)材料優勢，支持高壓、高頻且耐高溫的運作環境，有助於縮減電感、電容等元件的體積，極大化電源模組的功率密度。
- 低損耗高穩定 : 優於傳統矽基元件的漏電表現，減少熱消耗與傳導損耗，提升系統穩定性與可靠度。
面對全球電力電子領域對高效電力轉換需求的急遽增加，寬能隙半導體已成為關鍵。廣閎科技依據深厚的矽基元件(Silicon-based)研發經驗，積極佈局碳化矽(SiC)產品，協助合作夥伴解決在高功率密度下的熱管理與能量損耗瓶頸，共同驅動高效能電源系統全面升級。
SiC Schottky Barrier Diode 產品
關於廣閎科技
廣閎科技( inergy Technology Inc.)是專注於節能應用之IC設計公司，三大核心產品：功率金氧半場效電晶體、無刷直流馬達驅動控制模組、數位類比可程式化SoC散熱風扇驅動IC，提供低碳、低耗能的高能源效率產品，從IC到電機/電池/電源管理創新系統設計方案。
