廣閎推出業界頂級導通電阻規格MOSFET 助力AI伺服器電源與高功率應用再升級
新竹 – 2025年6月16日 — 廣閎科技以其最新先進功率MOSFET技術，推出涵蓋80V、100V、150V耐壓系列產品。這些產品採用領先Trench技術，以極低的導通電阻(RDS(ON))和低閘極電荷(Qg)為核心優勢，大幅提升AI伺服器及其他高功率應用系統的整體效率和可靠性。其中80V耐壓功率MOSFET產品iMN007N08T，其導通電阻(RDS(ON))僅0.7mΩ，實現了目前業界同級產品中的最高規格。同時100V耐壓功率MOSFET產品iMN009N10T、iMN01N10T的(RDS(ON))低於1.2mΩ，150V耐壓功率MOSFET產品iMN035N15T的(RDS(ON)為3.2mΩ皆為業界頂級水準。超低的導通電阻能顯著減少能源損耗，直接轉為更優異的系統能源效率。
本系列產品均採用TOLL封裝技術。TOLL(TO-Leadless)封裝技術是一種緊湊型表面貼片式(SMD)解決方案，因應電子元件對高功率密度的嚴苛要求而生，在小型化、高功率密度、高效率、優異散熱特性及高可靠性等方面表現卓越，在電源應用領域獲得廣泛認可。此系列產品專為高功率應用量身打造，具備高效能、高品質與穩健性，非常適合伺服器電源與資料中心、通信基地台電源、電池管理系統(BMS)、48V電池開關以及電動兩輪/三輪車等應用。我們致力於提供先進的電力電子解決方案，協助客戶實現高效能、小體積、高可靠的產品設計，滿足不斷演進的市場需求，為永續資通訊(ICT)設施和全球節能減碳目標貢獻力量。
產品推薦：
80V耐壓功率MOSFET產品 — iMN007N08T, RDS(ON)=0.7mΩ (typ.@10V)
100V耐壓功率MOSFET產品 — iMN009N10T, RDS(ON)=1.05mΩ (typ.@10V)
100V耐壓功率MOSFET產品 — iMN01N10T, RDS(ON)=1.2mΩ (typ.@10V)
150V耐壓功率MOSFET產品 — iMN035N15T, RDS(ON)=3.2mΩ (typ.@10V)
關於廣閎科技
廣閎科技( inergy Technology Inc.)是專注於節能應用之IC設計公司，三大核心產品：功率金氧半場效電晶體、無刷直流馬達驅動控制模組、數位類比可程式化SoC散熱風扇驅動IC，提供低碳、低耗能的高能源效率產品，從IC到電機/電池/電源管理創新系統設計方案。
